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        • 新啟航半導(dǎo)體有限公司


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          11
          2026
          -
          05
          銅箔越粗糙,界面熱阻越大|激光顯微鏡 VS 白光干涉儀
          引言銅箔作為電子設(shè)備散熱系統(tǒng)、印制電路板的核心基材,其表面粗糙度直接影響界面熱傳導(dǎo)效率,進(jìn)而決定器件工作穩(wěn)定性。界面熱阻的增大與銅箔表面微觀凸起、凹陷的分布密切相...
          銅箔越粗糙,界面熱阻越大|激光顯微鏡 VS 白光干涉儀
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          2026
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          05
          銅箔粗糙度直接決定 PCB 蝕刻難易程度|激光顯微鏡 VS ...
          引言銅箔是PCB(印刷電路板)制造的核心基材,其表面粗糙度直接決定蝕刻工藝的難易程度、蝕刻精度及成品合格率。蝕刻過(guò)程中,粗糙度過(guò)高易導(dǎo)致蝕刻不均、線條殘留,過(guò)低則...
          銅箔粗糙度直接決定 PCB 蝕刻難易程度|激光顯微鏡 VS 白光干涉儀
          11
          2026
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          白光干涉劃線輪廓測(cè)量,抑制鈣鈦礦電池漏電、降低串聯(lián)電阻
          1 鈣鈦礦電池劃線輪廓質(zhì)量對(duì)漏電與串聯(lián)電阻的影響鈣鈦礦電池模組制備核心工序中,激光劃線刻蝕是實(shí)現(xiàn)電池單元精準(zhǔn)分割、層間電路串聯(lián)互聯(lián)的關(guān)鍵工藝,劃線溝槽的輪廓規(guī)整度...
          白光干涉劃線輪廓測(cè)量,抑制鈣鈦礦電池漏電、降低串聯(lián)電阻
          09
          2026
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          CMP拋光前后,晶圓表面粗糙度白光干涉測(cè)量方案
          1 引言化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是半導(dǎo)體晶圓制程中核心平坦化工藝,拋光前后晶圓表面微觀粗糙度直接影響后續(xù)光刻、鍍膜等工序良率,是管控制程精度的關(guān)鍵指標(biāo)。傳統(tǒng)接觸式測(cè)...
          CMP拋光前后,晶圓表面粗糙度白光干涉測(cè)量方案
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