微觀形貌(Microscopic Morphology)檢測是高端制造質量管控的核心環節,廣泛用于半導體、高頻 PCB、骨科植入物等領域。激光共聚焦顯微鏡(Laser Confocal Microscope, LCM)橫向分辨率優異,適合局部微觀細節觀測,但高倍物鏡視場(Field of View, FOV)狹小,大區域測量必須依賴圖像拼接(Image Stitching)。
拼接受運動平臺機械誤差(Mechanical Error)影響,易產生錯位、傾斜畸變,帶來人為偽缺陷,降低測量重復性(Repeatability),難以滿足 ISO?4287、ISO?25178 等幾何形貌標準對取樣長度、評定長度的硬性要求。標準校準塊形貌均勻,誤差不易顯現;實際工業工件表面形貌起伏不均,會放大測量失真,算法濾波僅能掩蓋問題,無法根除系統偏差。
白光干涉儀(White Light Interferometer, WLI)基于短相干干涉原理,以大視場物鏡實現單幀大范圍三維形貌采集,規避拼接引入的次生誤差,符合國際形貌檢測標準。設備擁有亞納米級垂直分辨率,可直接輸出 Ra、Sa、PV 等完整量化參數,一次性完成全域粗糙度、臺階高度、形位誤差采集。
在工業量產場景,WLI 可實現樣品全域無死角檢測,減少因取樣不足、拼接失真導致的工藝誤判,為工藝迭代、缺陷溯源提供可溯源的三維數據,提升高端零部件量產一致性與可靠性。
激光共聚焦顯微鏡(Laser Confocal Microscope, LCM)在超精密粗糙度檢測中,常出現實測重復性(Repeatability)差,與白光干涉儀測量結果不一致,但校準標準塊時數據正常的現象。其根源來自物鏡(Objective Lens)視野(Field of View, FOV)的先天約束,高倍物鏡單幅視場不足,無法滿足 ISO4287、ISO25178 規定的取樣長度與評定長度要求,工業工件表面形貌非均勻,過小取樣范圍會造成數據失真(Data Distortion)。


采用圖像拼接(Image Stitching)拓展視場可作為補償手段,但拼接精度高度依賴運動平臺硬件。壓電平臺精度高但成本高昂;伺服電機平臺易引入錯位、高低偏移等機械誤差(Mechanical Error),算法濾波無法從根本消除測量偏差。

大視野白光干涉儀(White Light Interferometer, WLI)可解決上述痛點,可實現大視場單幀采集,滿足 ISO 標準評定長度,規避取樣不足帶來的系統誤差。設備兼顧納米級垂直精度與大視野測量能力,無需大量圖像拼接,可完整獲取全域三維形貌,輸出 Sa、Ra 等面粗糙度參數。

在半導體領域,可用于化學機械拋光 CMP 碟盤金剛石顆粒共面度(Coplanarity)、晶圓翹曲 BOW/WARP 形變(Deformation)、晶圓超光滑表面粗糙度檢測,支撐拋光工藝優化(Polishing Process Optimization)、晶圓鍵合(Bonding)前質量核驗,有效減少芯片虛焊、破損等工藝風險,為半導體精密制程提供可溯源的量化檢測數據。

新啟航半導體|專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障,支持自動化定制;高端系列對標國際一線品牌,大視野設計,輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。
免責聲明(Disclaimer)
一、內容溯源與適用范圍(Source & Scope of Application)
本文全部技術參數、結構原理、機型適配及對比數據,均源自設備原廠官方資料、權威標準文獻及公開招標驗收文件,僅用于技術研究、方案對比及行業參考,不作任何商業用途。
二、內容效力與權責界定(Validity & Liability Definition)
本文觀點與結論為通用技術參考,非設備原廠官方定論,不構成任何商業承諾、履約標準及驗收依據,未經原廠實測核驗,不得用于項目驗收、舉證追責。
三、風險承擔與合規說明(Risk Assumption & Compliance Statement)
使用者擅自套用、篡改本文內容產生的一切風險與法律責任,由使用者自行承擔,本文作者及所屬單位不承擔任何連帶責任。若存在版權及侵權異議,將及時核實整改。