在半導體光刻全流程（Whole Lithography Process）中，晶圓表面粗糙度是決定光刻膠（Photoresist）涂覆均勻性、圖形轉移精度與芯片良率的核心前置工藝指標。化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）后的晶圓表面微觀起伏，會引發光刻膠膜厚波動，進而產生線寬偏移、圖形畸變等工藝失效問題，因此需采用高精度非接觸檢測方式完成粗糙度量化表征。
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）基于低相干掃描干涉原理，垂直分辨率可達亞納米級別，是無損三維形貌檢測設備，可適配光刻前、光刻后全工序質量管控場景。相較于原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope, AFM）單點小視場檢測模式，WLI支持大視場掃描與圖像拼接全域采樣，可精準輸出算術平均粗糙度（Ra）、均方根粗糙度（Rq/RMS）等核心參數，同時識別納米級劃痕、凹坑等微觀缺陷。
在半導體量產產線中，WLI主要用于CMP拋光后晶圓來料篩查、光刻膠涂布前基底狀態核驗，可捕捉0.1nm級表面微觀波動，為拋光工藝參數迭代優化提供精準數據支撐。同時可完成顯影、刻蝕工序后的晶圓表面粗糙度復核，量化分析光刻全流程對晶圓表面形貌的影響。區別于易造成晶圓表面損傷的接觸式臺階儀，WLI無探針接觸損傷風險，兼顧超光滑晶圓檢測精度與量產檢測效率，是先進制程光刻配套的核心量測方案。
晶圓表面粗糙度專項分析（核心檢測指標）
（圖示為CMP拋光后實測數據，檢測精度可達6pm=0.006nm，滿足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）檢測要求，適配高端芯片晶圓精密檢測場景）
（圖示為CMP拋光后實測數據，表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96nm，可精準表征晶圓拋光后表面光滑度，支撐拋光工藝優化（Polishing Process Optimization），有效提升晶圓基底表面質量）
（圖示為晶圓背面表面粗糙度實測數據，Ra=0.9μm，適配晶圓背面加工質量檢測場景，保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩定性，為后續晶圓鍵合（Bonding）工藝筑牢質量基礎）
大視野3D白光干涉儀
大視野3D白光干涉儀依托自研核心技術，突破傳統晶圓檢測設備局限，實現納米級（Nanoscale）全場景一體化精密測量，兼具高效性與高精度特性，適配半導體晶圓加工、封裝全流程質量管控，重構半導體（Semiconductor）領域精密測量（Precision Measurement）行業標準，為量產質控提供權威可溯源數據支撐。
核心優勢：大視野+高精度，打破半導體檢測行業壁壘
設備解決傳統檢測設備1倍以下物鏡（Objective Lens）僅可單孔使用、需雙設備分別完成大視野觀測與高精度測量的行業痛點。搭載0.6倍輕量化專用鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配兼容4組物鏡的轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單設備即可覆蓋大視野全域觀測、納米級高精度測量雙重需求，無需頻繁切換檢測設備，顯著提升量產檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy），高度適配半導體規模化量產檢測場景。
晶圓相關實測應用圖示及說明（半導體專屬）
（圖示為化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側為微觀放大細節圖，右側為全域共面度分析圖，直觀呈現設備大視野3D精密測量能力，助力研磨碟盤質量管控（Quality Control），保障晶圓整體拋光均勻性）
（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲（BOW）、彎曲（WARP）等形變（Deformation）測量，可精準采集晶圓形變核心數據，保障晶圓加工與封裝（Packaging）精度，規避封裝階段芯片破損、虛焊等工藝不良問題）
新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。
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