正文
超光滑樣品廣泛應用于半導體化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）晶圓、精密光學基底、微機電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical System, MEMS）功能襯底。在拋光、鍍膜、清洗制程中，樣品易產(chǎn)生納米級微劃痕、局部粗糙度偏移、顆粒殘留、全域波紋畸變等隱蔽缺陷。傳統(tǒng)單點原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope, AFM）、接觸式輪廓儀僅能實現(xiàn)局部單點檢測，無法滿足量產(chǎn)場景下的全域高效篩查需求，極易漏判批量系統(tǒng)性工藝偏差，制約精密工件量產(chǎn)質(zhì)控穩(wěn)定性。
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）基于低相干干涉原理，實現(xiàn)非接觸式全域拼接三維成像，縱向測量分辨率最高可達6 pm，檢測標準符合ISO 25178表面形貌檢測規(guī)范。設備采用無接觸掃描模式，可徹底規(guī)避超光滑樣品表層二次損傷風險；依托大視場拼接技術(shù)，可快速完成整片工件全域形貌重建，完全適配產(chǎn)線批量抽檢工況。系統(tǒng)可自動提取算術(shù)平均粗糙度（Ra）、均方根粗糙度（RMS）、缺陷深度、面形起伏等核心量化參數(shù)，可通過表面形貌分布特征精準區(qū)分工藝異常誘因：全域均勻線性劃痕對應研磨磨料粒徑不均、設備主軸振動問題；區(qū)域性粗糙度突增主要源于拋光殘渣附著、潔凈車間顆粒物污染；邊緣規(guī)律性波紋形變，可判定為拋光工裝壓力分布失衡、工件夾持定位偏差。
在工業(yè)CMP硅片量產(chǎn)實測中，合格晶圓區(qū)域Ra值穩(wěn)定維持在0.25 nm，批量抽檢過程中發(fā)現(xiàn)樣品邊緣區(qū)域Ra值普遍升至0.4 nm。通過WLI全域形貌云圖，精準鎖定工裝壓力不均的異常區(qū)域，針對性優(yōu)化下壓工藝參數(shù)后，晶圓批量粗糙度一致性達標。針對光學鏡片批次性點狀凹坑缺陷，經(jīng)WLI全域缺陷密度統(tǒng)計分析，溯源確定為清洗工序超聲功率超標，依托檢測數(shù)據(jù)完成制程閉環(huán)整改。該技術(shù)有效打通表面形貌數(shù)據(jù)與工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)鏈路，實現(xiàn)批量缺陷精準定位、根因判定與工藝迭代優(yōu)化，是高端精密制造中超光滑表面量產(chǎn)質(zhì)控的可靠技術(shù)方案。
晶圓表面粗糙度專項分析（核心檢測指標）
（圖示為CMP拋光后實測數(shù)據(jù)，檢測精度可達6 pm=0.006 nm，滿足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）檢測標準，適配半導體高端芯片晶圓檢測場景）
（圖示為CMP拋光后實測數(shù)據(jù)，表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96 nm，可精準表征晶圓拋光后表面光滑度，為拋光工藝優(yōu)化（Polishing Process Optimization）提供數(shù)據(jù)支撐，有效提升晶圓表面加工質(zhì)量）
（圖示為晶圓背面表面粗糙度實測數(shù)據(jù)，Ra=0.9 μm，適配晶圓背面加工質(zhì)量檢測場景，保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩(wěn)定性，為后續(xù)鍵合（Bonding）工藝實施提供可靠基礎(chǔ)條件）
大視野3D白光干涉儀
突破傳統(tǒng)測量設備技術(shù)局限，重構(gòu)晶圓（Wafer）檢測新范式。大視野3D白光干涉儀依托核心創(chuàng)新技術(shù)，實現(xiàn)納米級（Nanoscale）全場景精準測量，兼具高效檢測與超高精密特性，全面適配晶圓全流程檢測需求，重塑半導體（Semiconductor）領(lǐng)域精密測量（Precision Measurement）核心標準，為半導體晶圓加工、封裝全環(huán)節(jié)質(zhì)量管控提供權(quán)威、精準的數(shù)據(jù)支撐。
核心優(yōu)勢：大視野+高精度，打破半導體檢測行業(yè)壁壘
突破傳統(tǒng)檢測設備技術(shù)瓶頸，解決行業(yè)通用痛點：傳統(tǒng)設備1倍以下物鏡（Objective Lens）僅支持單孔檢測，需搭配兩臺設備才能分別完成大視野觀測與高精度測量工作。本設備搭載全新0.6倍輕量化鏡頭，配備15 mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉(zhuǎn)塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺設備即可兼顧大視野全域觀測與高精度微觀測量需求，全面適配晶圓及配套部件的復雜檢測場景，無需頻繁切換檢測設備，顯著提升量產(chǎn)檢測效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準度（Data Accuracy），高度適配半導體規(guī)模化量產(chǎn)檢測工況。
晶圓相關(guān)實測應用圖示及說明（半導體專屬）
（圖示為化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側(cè)為放大細節(jié)圖，右側(cè)為整體共面度分析圖，直觀呈現(xiàn)設備大視野3D測量能力，助力研磨碟盤精準質(zhì)控（Quality Control），保障晶圓拋光均勻性與一致性）
（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲（BOW）、彎曲（WARP）等形變（Deformation）測量，可精準捕捉晶圓形變核心數(shù)據(jù)，保障晶圓加工及封裝（Packaging）精度，有效規(guī)避封裝階段芯片破損、虛焊等工藝不良問題）
新啟航半導體｜專業(yè)白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。
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