鈣鈦礦電池 P2 激光劃線（Laser Scribing）工序需刻蝕功能膜層并保留合適 TCO 導(dǎo)電層，TCO 殘留厚度（Residual Thickness of TCO）直接影響串聯(lián)電阻（Series Resistance）與載流子導(dǎo)通能力。傳統(tǒng)接觸式臺階儀采樣效率有限，光學(xué)顯微鏡僅能二維觀測，難以精準(zhǔn)獲取全域厚度數(shù)值。本文基于設(shè)備廠商公開技術(shù)資料與光伏中試檢測數(shù)據(jù)，論述白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）非接觸三維測量方案應(yīng)用價(jià)值。
白光干涉儀采用垂直掃描干涉（VSI）模式，垂直分辨率可達(dá)納米級別，可采集劃線區(qū)域三維形貌，快速計(jì)算溝槽內(nèi)部 TCO 剩余厚度。實(shí)測數(shù)據(jù)表明：TCO 殘留過厚易產(chǎn)生漏電通道；殘留不足會增大接觸電阻，制約組件填充因子（Fill Factor）。通過連續(xù)采集不同激光功率、掃描速度下的 TCO 厚度數(shù)據(jù)，建立工藝參數(shù)與殘留厚度對應(yīng)關(guān)系。
依據(jù)測量結(jié)果閉環(huán)調(diào)整激光工藝條件，穩(wěn)定 TCO 殘留區(qū)間，改善劃線區(qū)域電學(xué)特性，降低組件失效風(fēng)險(xiǎn)，適用于鈣鈦礦電池量產(chǎn)線上激光劃線工序的工藝調(diào)試與常態(tài)化質(zhì)量管控。
激光劃線實(shí)測案例
大視野3D白光干涉儀
突破傳統(tǒng)測量局限，定義精密測量（Precision Measurement）新范式！大視野3D白光干涉儀憑借核心創(chuàng)新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)納米級（Nanoscale）全場景測量，以高效、精準(zhǔn)的優(yōu)勢，重新詮釋工業(yè)測量（Industrial Measurement）的高效與精密，為半導(dǎo)體（Semiconductor）、光學(xué)及各類精密部件檢測提供全方位技術(shù)支撐，適配多領(lǐng)域嚴(yán)苛測量需求。
四大核心技術(shù)革新（工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)，適配半導(dǎo)體場景）
一、大視野+高精度，打破行業(yè)常規(guī)
打破傳統(tǒng)設(shè)備局限，1倍以下物鏡（Objective Lens）可實(shí)現(xiàn)多場景適配，無需分開配備設(shè)備即可兼顧大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement）。設(shè)備搭載全新0.6倍輕量化鏡頭，擁有15.5mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉(zhuǎn)塔設(shè)計(jì)（Turret Design），一臺設(shè)備即可全面覆蓋大視野觀測與高精度測量需求，適配各類復(fù)雜樣品檢測場景，無需頻繁切換設(shè)備，大幅提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)度（Data Accuracy）。
（以上為實(shí)測14mm端面平面度（Flatness），精準(zhǔn)把控部件平面精度，為半導(dǎo)體器件、精密光學(xué)部件后續(xù)測量提供可靠基礎(chǔ)）
（以上為實(shí)測數(shù)據(jù)：6pm=0.006nm，精準(zhǔn)表征表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz），滿足半導(dǎo)體芯片、超精密部件的超精密測量需求）
視野更大，亞微米的痕跡測量，激光共聚焦高倍鏡頭視野太小。白光干涉可實(shí)現(xiàn)大事業(yè)納米精度測量。
新啟航半導(dǎo)體｜專業(yè)白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標(biāo)國際一線品牌，大視野設(shè)計(jì)，輕松應(yīng)對高低反射、復(fù)雜材料測量場景。
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