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2026

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06

MEMS 芯片表面粗糙度 (Surface Roughnes...

MEMS 芯片表面粗糙度直接決定器件摩擦損耗、電學(xué)穩(wěn)定性與傳感精度，晶圓研磨、薄膜沉積、干法刻蝕、濕法清洗工序中，拋光壓力波動(dòng)、沉積速率失穩(wěn)、刻蝕殘留顆粒、腔體潔...

03

2026

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06

USI 白光掃描：多層微納工件形貌檢測(cè)數(shù)據(jù)異常（Data A...

本文基于商用白光干涉設(shè)備官方技術(shù)手冊(cè)、半導(dǎo)體微納檢測(cè)國(guó)標(biāo)規(guī)范及公開(kāi)招標(biāo)技術(shù)參數(shù)，分析USI（通用掃描干涉，Universal Scanning Interfero...

03

2026

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06

基于白光干涉儀的超薄薄膜微觀形貌表征及晶圓檢測(cè)應(yīng)用研究

一、超薄薄膜加工工藝檢測(cè)痛點(diǎn)超薄薄膜構(gòu)件是微納光學(xué)、半導(dǎo)體封裝、柔性電子器件的核心功能結(jié)構(gòu)，其鍍膜、濺射、刻蝕等精密工序易產(chǎn)生納米級(jí)形貌缺陷，主要包含膜厚梯度偏差...

03

2026

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06

MEMS結(jié)構(gòu)側(cè)壁垂直度不良，白光干涉儀研判微結(jié)構(gòu)成型故障

側(cè)壁垂直度是MEMS微溝槽、懸臂梁等微結(jié)構(gòu)的核心成型指標(biāo)，直接決定器件鍵合精度、力學(xué)與電學(xué)性能。光刻、干法刻蝕等工序異常，易引發(fā)側(cè)壁傾斜、頂部擴(kuò)口、底部縮徑等缺陷...

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