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白光干涉儀，晶圓級(jí)封裝/Bump鍵合3D輪廓測(cè)量

摘要隨著晶圓級(jí)扇出封裝、TSV互連及精密Bump鍵合工藝高速發(fā)展，芯片封裝朝著微型化、高密度、高精度集成方向快速升級(jí)。晶圓級(jí)Bump鍵合作為芯片互連的核心工序，凸...

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2026

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鈣鈦礦電池死區(qū)寬度測(cè)量，白光干涉助力GFF提升

1 鈣鈦礦電池死區(qū)寬度成因及工藝影響鈣鈦礦電池組件規(guī)模化生產(chǎn)中，激光刻蝕形成的邊緣無(wú)效區(qū)域即為電池死區(qū)，主要位于P1、P2、P3刻蝕溝槽邊緣及電池片串間銜接位置。...

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2026

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硅片/碳化硅/藍(lán)寶石/氮化鋁襯底，晶圓表面粗糙度白光干涉測(cè)量

摘要硅片、碳化硅、藍(lán)寶石及氮化鋁是半導(dǎo)體功率器件、光電子芯片與第三代半導(dǎo)體封裝制程的核心晶圓襯底材料，晶圓表面粗糙度直接影響薄膜外延生長(zhǎng)質(zhì)量、光刻制程精度及器件鍵...

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2026

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GB/T 3505 國(guó)標(biāo)解讀，白光干涉儀表面粗糙度測(cè)量

一、GB/T 3505表面粗糙度國(guó)標(biāo)核心解讀GB/T 3505是我國(guó)機(jī)械制造領(lǐng)域表面結(jié)構(gòu)與粗糙度評(píng)定的基礎(chǔ)性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)標(biāo)國(guó)際通用計(jì)量規(guī)范，適配國(guó)內(nèi)全品類機(jī)械加工...

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