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USI 白光掃描：多層微納工件形貌檢測數(shù)據(jù)異常（Data A...

本文基于商用白光干涉設(shè)備官方技術(shù)手冊、半導(dǎo)體微納檢測國標(biāo)規(guī)范及公開招標(biāo)技術(shù)參數(shù)，分析USI（通用掃描干涉，Universal Scanning Interfero...

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2026

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基于白光干涉儀的超薄薄膜微觀形貌表征及晶圓檢測應(yīng)用研究

一、超薄薄膜加工工藝檢測痛點(diǎn)超薄薄膜構(gòu)件是微納光學(xué)、半導(dǎo)體封裝、柔性電子器件的核心功能結(jié)構(gòu)，其鍍膜、濺射、刻蝕等精密工序易產(chǎn)生納米級形貌缺陷，主要包含膜厚梯度偏差...

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2026

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MEMS結(jié)構(gòu)側(cè)壁垂直度不良，白光干涉儀研判微結(jié)構(gòu)成型故障

側(cè)壁垂直度是MEMS微溝槽、懸臂梁等微結(jié)構(gòu)的核心成型指標(biāo)，直接決定器件鍵合精度、力學(xué)與電學(xué)性能。光刻、干法刻蝕等工序異常，易引發(fā)側(cè)壁傾斜、頂部擴(kuò)口、底部縮徑等缺陷...

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2026

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白光干涉儀在鈣鈦礦光伏激光劃線工藝的精密測量應(yīng)用

一、鈣鈦礦光伏激光劃線死區(qū)損耗痛點(diǎn)鈣鈦礦光伏組件規(guī)模化量產(chǎn)中，P1-P2-P3激光劃刻工藝形成的溝槽區(qū)域為電池發(fā)電死區(qū)，僅承擔(dān)電路隔離與導(dǎo)通作用，無光電轉(zhuǎn)換能力，...

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