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        新啟航半導體有限公司


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        2026
        -
        08
        超臨界 CO?設備密封平面度抗疲勞開裂(Fatigue Cr...
        超臨界CO?(Supercritical CO?)設備金屬硬密封端面長期承受高壓交變載荷與介質沖蝕,易產生平面度形變與疲勞開裂(Fatigue Cracking)...
        超臨界 CO?設備密封平面度抗疲勞開裂(Fatigue Cracking)的光學輪廓測量表征
        12
        2026
        -
        08
        白光干涉儀(White Light Interferomet...
        摘要超薄薄膜(Ultra-thin Film)廣泛應用于半導體晶圓(Wafer)、鈣鈦礦光伏、微機電系統(MEMS)等核心工業領域。薄膜濺射(Sputtering...
        白光干涉儀(White Light Interferometer, WLI)形貌測量技術在超薄薄膜(Ultra-thin Film) 制備工藝優化中的異常分析應用
        11
        2026
        -
        08
        骨植入體孔壁形貌畸變,白光干涉儀改善細胞附著能力
        多孔骨植入體(Porous Bone Implant)孔壁形貌(Sidewall Morphology)是調控成骨細胞黏附、鋪展與增殖的關鍵微結構參數。在3D打印...
        骨植入體孔壁形貌畸變,白光干涉儀改善細胞附著能力
        11
        2026
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        超臨界CO?設備密封平面度對防滲漏性能的光學輪廓測量分析
        超臨界二氧化碳(Supercritical CO?, scCO?)設備長期處于高溫、高壓強滲透工況,密封端面平面度(Sealing Flatness)是管控介質滲...
        超臨界CO?設備密封平面度對防滲漏性能的光學輪廓測量分析
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